2N5339QFN/TR
Производитель Номер продукта:

2N5339QFN/TR

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

2N5339QFN/TR-DG

Описание:

POWER BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Инвентаризация:

12983715
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2N5339QFN/TR Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.2V @ 500mA, 5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-39 (TO-205AD)

Дополнительная информация

Стандартный пакет
100
Другие названия
150-2N5339QFN/TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

JANSG2N2221AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N4001

POWER BJT

microchip-technology

2N5605

POWER BJT

microchip-technology

2N5663U3

POWER BJT