2N5623
Производитель Номер продукта:

2N5623

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

2N5623-DG

Описание:

POWER BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 116 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Инвентаризация:

12983490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2N5623 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
10 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
-
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
-
Мощность - Макс
116 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-204AA, TO-3
Комплект устройства поставщика
TO-204AD (TO-3)

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
150-2N5623

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

2N5330

POWER BJT

microchip-technology

JANKCBD2N2906A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANTXV2N3637P

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5676

POWER BJT