Производитель Номер продукта:
2N7008-G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
2N7008-G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
2488 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12816350
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7008-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовый номер продукта
2N7008
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFC4310EF
MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM
IRFR1205PBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
TPS1101DR
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
