Производитель Номер продукта:
APT1001RBN
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT1001RBN-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Инвентаризация:
13257203
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT1001RBN Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
-
Серия
POWER MOS IV®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AD
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT43F60L
MOSFET N-CH 600V 45A TO264
APT50M38JFLL
MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
