APT100M50J
Производитель Номер продукта:

APT100M50J

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT100M50J-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
Подробное описание:
N-Channel 500 V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Инвентаризация:

13250929
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT100M50J Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
620 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
24600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
APT100

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10
Другие названия
APT100M50JMI
APT100M50JMI-ND

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IXFN132N50P3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
539
Номер части
IXFN132N50P3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
30.45
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A MODULE

microsemi

2N6756

MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

microchip-technology

APT6013LLLG

MOSFET N-CH 600V 43A TO264

microchip-technology

APT8020B2FLLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX