Производитель Номер продукта:
APT11N80BC3G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT11N80BC3G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Инвентаризация:
90 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13261199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT11N80BC3G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 680µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1585 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 [B]
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
APT11N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
APT32M80J
MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
