APT28M120L
Производитель Номер продукта:

APT28M120L

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT28M120L-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]

Инвентаризация:

25 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13253775
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT28M120L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
530mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9670 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1135W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264 [L]
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
APT28M120

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

APT40M75JN

MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

microsemi

APTC60DAM24CT1G

MOSFET N-CH 600V 95A SP4

microchip-technology

APT8065BVFRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

microchip-technology

APT50M85JVR

MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP