APT31M100L
Производитель Номер продукта:

APT31M100L

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT31M100L-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264

Инвентаризация:

13249867
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT31M100L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
APT31M100

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25
Другие названия
APT31M100LMP
APT31M100LMP-ND

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

microsemi

APT10035B2LLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

microchip-technology

APT10090BLLG

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

microsemi

2N6849

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39