APT48M80B2
Производитель Номер продукта:

APT48M80B2

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT48M80B2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 800 V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Инвентаризация:

13261777
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT48M80B2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9330 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1135W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
APT48M80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

APT47N65SCS3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

microchip-technology

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

microsemi

APT5014SLLG/TR

MOSFET N-CH 500V 35A TO247

microchip-technology

APT50M75LLLG

MOSFET N-CH 500V 57A TO264