APT53F80J
Производитель Номер продукта:

APT53F80J

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT53F80J-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Подробное описание:
N-Channel 800 V 57A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Инвентаризация:

89 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13258084
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT53F80J Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
ISOTOP®
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
APT53F80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

APT24M120B2

MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

microchip-technology

APT60N60SCSG

MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

microchip-technology

APT20M120JCU3

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

microsemi

APT28F60S

MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK