Производитель Номер продукта:
APT58M80J
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT58M80J-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Подробное описание:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13248223
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT58M80J Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-227
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
APT58M80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFN62N80Q3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8
Номер части
IXFN62N80Q3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
44.05
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFN48N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
20
Номер части
IXFN48N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
18.51
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
APT6040BNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
