Производитель Номер продукта:
APT8M100B
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT8M100B-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Инвентаризация:
37 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13254280
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT8M100B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1885 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
290W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 [B]
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
APT8M100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APTC60DAM18CTG
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
APTM50UM09FAG
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
APT8M80K
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
