Производитель Номер продукта:
APTM20UM04SAG
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APTM20UM04SAG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
Подробное описание:
N-Channel 200 V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6
Инвентаризация:
13256161
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APTM20UM04SAG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
417A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
28800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1560W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SP6
Упаковка / Чехол
SP6
Базовый номер продукта
APTM20
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
NTHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APL1001J
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP