JAN2N1613L
Производитель Номер продукта:

JAN2N1613L

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

JAN2N1613L-DG

Описание:

TRANS NPN 30V 0.5A TO5
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA

Инвентаризация:

13260554
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

JAN2N1613L Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
Military, MIL-PRF-19500/181
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-5AA

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

2N336ALT2

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

microchip-technology

2N2904A

PNP TRANSISTOR

microchip-technology

JANTX2N335A

TRANS NPN 45V 0.01A TO5

microchip-technology

2N336LT2

NPN POWER SILICON TRANSISTORS