JAN2N2219S
Производитель Номер продукта:

JAN2N2219S

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

JAN2N2219S-DG

Описание:

SMALL-SIGNAL BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Инвентаризация:

12983609
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

JAN2N2219S Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
800 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Степень
Military
Квалификация
MIL-PRF-19500/251
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-39 (TO-205AD)

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
150-JAN2N2219S

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

2N4388

POWER BJT

microchip-technology

2N757A

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSM2N5152L

RH POWER BJT

microchip-technology

JANTXV2N2907UB

SMALL-SIGNAL BJT