Производитель Номер продукта:
JAN2N3867P
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
JAN2N3867P-DG
Описание:
POWER BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Инвентаризация:
12984113
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
JAN2N3867P Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
Military, MIL-PRF-19500/350
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
40 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-5AA
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-JAN2N3867P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANSF2N2369AU/TR
RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT
2N5601
POWER BJT
JANSM2N2221AUA/TR
RH SMALL-SIGNAL BJT