Производитель Номер продукта:
JANSL2N3439L
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
JANSL2N3439L-DG
Описание:
RH POWER BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA
Инвентаризация:
12987390
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
JANSL2N3439L Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
Military, MIL-PRF-19500/368
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
350 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 4mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
2µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-5AA
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-JANSL2N3439L
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
