JANSM2N3019
Производитель Номер продукта:

JANSM2N3019

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

JANSM2N3019-DG

Описание:

RH SMALL-SIGNAL BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA

Инвентаризация:

12983891
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

JANSM2N3019 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
800 mW
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Степень
Military
Квалификация
MIL-PRF-19500/391
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-5AA

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
150-JANSM2N3019

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

JANTXV2N2905AP

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2C2060

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

MSR2N2907AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2C3637-MSCL

SMALL-SIGNAL BJT