Производитель Номер продукта:
JANTX2N6301P
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
JANTX2N6301P-DG
Описание:
POWER BJT
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A 75 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Инвентаризация:
12983567
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
JANTX2N6301P Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3V @ 80mA, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
Мощность - Макс
75 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-213AA, TO-66-2
Комплект устройства поставщика
TO-66 (TO-213AA)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-JANTX2N6301P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
