Производитель Номер продукта:
LND150N3-G-P002
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
LND150N3-G-P002-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
1965 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12814877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
LND150N3-G-P002 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
740mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовый номер продукта
LND150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
150-LND150N3-G-P002DKR-DG
LND150N3-G-P002-DG
150-LND150N3-G-P002DKRINACTIVE
150-LND150N3-G-P002CT
150-LND150N3-G-P002DKR
150-LND150N3-G-P002TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF7459
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
