Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MSC017SMA120B
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
MSC017SMA120B-DG
Описание:
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 113A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12958923
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MSC017SMA120B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
113A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 4.5mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
249 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5280 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
455W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
MSC017SMA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MSC017SMA120B
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
150-MSC017SMA120B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MSC017SMA120B4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5
Номер части
MSC017SMA120B4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
36.55
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
SQW33N65EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
IPTG210N25NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET