MSC025SMA120B4
Производитель Номер продукта:

MSC025SMA120B4

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

MSC025SMA120B4-DG

Описание:

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4

Инвентаризация:

12939360
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MSC025SMA120B4 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+23V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
MSC025

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
150-MSC025SMA120B4

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF730PBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

microchip-technology

APT34F60S

MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK

vishay-siliconix

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFR9024TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK