MSC180SMA120S
Производитель Номер продукта:

MSC180SMA120S

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

MSC180SMA120S-DG

Описание:

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D3PAK

Инвентаризация:

190 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939525
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MSC180SMA120S Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.26V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+23V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
510 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D3Pak
Упаковка / Чехол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовый номер продукта
MSC180

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
150-MSC180SMA120S

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

XPN9R614MC,L1XHQ

MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

infineon-technologies

IRF7455TRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

microchip-technology

MSC100SM70JCU2

SICFET N-CH 700V 124A SOT227