Производитель Номер продукта:
MSCSM170HRM451AG
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
MSCSM170HRM451AG-DG
Описание:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A
Подробное описание:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 64A (Tc), 89A (Tc) 319W (Tc), 395W (Tc) Chassis Mount
Инвентаризация:
12960578
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MSCSM170HRM451AG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
Silicon Carbide (SiC)
Конфигурация
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Функция полевых транзисторов
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
64A (Tc), 89A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
178nC @ 20V, 232nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Мощность - Макс
319W (Tc), 395W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Упаковка / Чехол
Module
Комплект устройства поставщика
-
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
150-MSCSM170HRM451AG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4973DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
MSCSM170HRM11NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
MSCSM120HRM163AG
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A