Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SG2013J-883B
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
SG2013J-883B-DG
Описание:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12927030
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SG2013J-883B Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
7 NPN Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.9V @ 600µA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
900 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
-
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
-
Комплект устройства поставщика
16-CDIP
Базовый номер продукта
SG2013
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SG2000
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
1259-1108
1259-1108-MIL
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANTX2N4854U
TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD
JANTXV2N6989
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
JANTX2N5794U
TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78
JANTX2N2919L
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78