Производитель Номер продукта:
TN2106K1-G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
TN2106K1-G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Инвентаризация:
12806516
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TN2106K1-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
280mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236AB (SOT23)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
TN2106
Технический паспорт и документы
Дизайн/спецификация PCN
Технические характеристики
Сборка/происхождение PCN
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
TN2106K1-GDKR
TN2106K1-GCT
TN2106K1-GTR
TN2106K1-G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTR5103NT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
82783
Номер части
NTR5103NT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISP13DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
SPA07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
IRFU15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
