TP2635N3-G
Производитель Номер продукта:

TP2635N3-G

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

TP2635N3-G-DG

Описание:

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
Подробное описание:
P-Channel 350 V 180mA (Tj) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3

Инвентаризация:

376 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12810010
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TP2635N3-G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Bag
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовый номер продукта
TP2635

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

nxp-semiconductors

BUK962R1-40E,118

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK7Y08-40B/C,115

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56

nxp-semiconductors

BUK953R2-40E,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB