Производитель Номер продукта:
VN10KN3-G-P002
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
VN10KN3-G-P002-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Инвентаризация:
2970 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12864428
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VN10KN3-G-P002 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
310mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92-3
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Базовый номер продукта
VN10KN3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
VN10KN3-G-P002CT
VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
150-VN10KN3-G-P002CT
150-VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
VN10KN3-G-P002CT-DG
VN10KN3-G-P002DKR
150-VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002TR
150-VN10KN3-G-P002DKR
VN10KN3-G-P002TR-DG
150-VN10KN3-G-P002TR
VN10KN3-G-P002-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RJK03M4DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
IRF540STRR
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFSL7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
