Производитель Номер продукта:
VP2110K1-G
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
VP2110K1-G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Подробное описание:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Инвентаризация:
12199 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12818423
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VP2110K1-G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120mA (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236AB (SOT23)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
VP2110
Технический паспорт и документы
Дизайн/спецификация PCN
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB