Производитель Номер продукта:
2N6764
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
2N6764-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Инвентаризация:
13255936
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N6764 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3
Упаковка / Чехол
TO-204AE
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2N6764-ND
150-2N6764
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
NVHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
