Производитель Номер продукта:
2N6798
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
2N6798-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Подробное описание:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Инвентаризация:
13262400
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N6798 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-39
Упаковка / Чехол
TO-205AF Metal Can
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
2N6798-ND
150-2N6798
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MSC035SMA070B
MOSFET N-CH 700V TO247
APTM50SKM19G
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
APT20M20B2FLLG
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
