Производитель Номер продукта:
APT10M11B2VFRG
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT10M11B2VFRG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
Инвентаризация:
13256794
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT10M11B2VFRG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
POWER MOS V®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
APT10M11B2VFRG-ND
150-APT10M11B2VFRG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANSF2N7383
P CHANNEL MOSFET TO-257
APT17F100S
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
APT60M80JVR
MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP
