Производитель Номер продукта:
APT12067B2LLG
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT12067B2LLG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Инвентаризация:
13246322
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT12067B2LLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
POWER MOS 7®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
670mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4420 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
565W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
APT12067
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
APT12067B2LLG-ND
150-APT12067B2LLG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7225U
MOSFET N-CH 200V 27.4A TO267AB
APT30N60BC6
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT18M100B
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247