Производитель Номер продукта:
APT12F60K
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT12F60K-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Инвентаризация:
13258195
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT12F60K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
620mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 [K]
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
APT12F60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
APT12F60K-ND
150-APT12F60K
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APTM20SKM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
APT42F50B
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
APT9F100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247