APT17N80BC3G
Производитель Номер продукта:

APT17N80BC3G

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

APT17N80BC3G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3

Инвентаризация:

13247758
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT17N80BC3G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264

microchip-technology

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX