Производитель Номер продукта:
APT35SM70B
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT35SM70B-DG
Описание:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
13253326
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT35SM70B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1035 pF @ 700 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT10M07JVR
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APTML100U60R020T1AG
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
