APT58MJ50J
Производитель Номер продукта:

APT58MJ50J

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

APT58MJ50J-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Подробное описание:
N-Channel 500 V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Инвентаризация:

13253498
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT58MJ50J Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
540W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
ISOTOP®
Упаковка / Чехол
SOT-227-4, miniBLOC
Базовый номер продукта
APT58MJ50

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
150-APT58MJ50J
APT58MJ50J-ND

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

APT12080JVFR

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

microchip-technology

APT1201R6SVFRG

MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

microchip-technology

APT34M60B

MOSFET N-CH 600V 36A TO247

microchip-technology

APT6038BLLG

MOSFET N-CH 600V 17A TO247