APT6017B2LLG
Производитель Номер продукта:

APT6017B2LLG

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

APT6017B2LLG-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Инвентаризация:

13259944
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT6017B2LLG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
POWER MOS 7®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
150-APT6017B2LLG
APT6017B2LLG-ND

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microsemi

2N7227U

MOSFET N-CH 400V 14A TO267AB

microchip-technology

APT13F120B

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

microchip-technology

APT10078BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

microchip-technology

APT66F60B2

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX