Производитель Номер продукта:
APT6M100K
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APT6M100K-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Инвентаризация:
13257353
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT6M100K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1410 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 [K]
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
APT6M100K-ND
150-APT6M100K
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT8065SVRG
MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
APT6029BLLG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
