Производитель Номер продукта:
APTC60DAM35T1G
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APTC60DAM35T1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Подробное описание:
N-Channel 600 V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
Инвентаризация:
13247119
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APTC60DAM35T1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 5.4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
518 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
416W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SP1
Упаковка / Чехол
SP1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
APTC60DAM35T1G-ND
150-APTC60DAM35T1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT77N60BC6
MOSFET N-CH 600V 77A TO247
APTM100UM45DAG
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
APT56M50L
MOSFET N-CH 500V 56A TO264
