Производитель Номер продукта:
APTC90DAM60T1G
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APTC90DAM60T1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Подробное описание:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Инвентаризация:
13261068
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APTC90DAM60T1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
13600 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
462W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SP1
Упаковка / Чехол
SP1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
APTC90DAM60T1G-ND
150-APTC90DAM60T1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT20N60SC3G
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
APT40SM120S
SICFET N-CH 1200V 41A D3PAK
APT8014L2FLLG
MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX
