Производитель Номер продукта:
APTM100DA18CT1G
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
APTM100DA18CT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Инвентаризация:
13260739
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APTM100DA18CT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
216mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
657W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Chassis Mount
Комплект устройства поставщика
SP1
Упаковка / Чехол
SP1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
APTM100DA18CT1G-ND
150-APTM100DA18CT1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT75F50B2
MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
APT41M80B2
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
2N6800
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
