Производитель Номер продукта:

APTM100DA33T1G

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

APTM100DA33T1G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Подробное описание:

N-Channel 1000 V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

13251741

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

APTM100DA33T1G Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Microsemi

Упаковка

-

Серия

-

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

1000 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

396mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

5V @ 2.5mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

305 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±30V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

7868 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

390W (Tc)

Рабочая температура

-40°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Chassis Mount

Комплект устройства поставщика

SP1

Упаковка / Чехол

SP1

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

APTM100DA33T1G High-Voltage Power Discretes and Modules

Дополнительная информация

Стандартный пакет

1

Другие названия

APTM100DA33T1G-ND

150-APTM100DA33T1G

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

RoHS Compliant

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

microchip-technology

APT5010LVFRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT6010LFLLG

MOSFET N-CH 600V 54A TO264

APTM100SK33T1G

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

microchip-technology

APT5020BVRG

MOSFET N-CH 500V 26A TO247