Производитель Номер продукта:
JAN2N1016B
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
JAN2N1016B-DG
Описание:
TRANS NPN 100V 7.5A TO82
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82
Инвентаризация:
12925118
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
JAN2N1016B Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
Military, MIL-PRF-19500/102
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
7.5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2.5V @ 1A, 5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1mA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 2A, 4V
Мощность - Макс
150 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Комплект устройства поставщика
TO-82
Базовый номер продукта
2N1016
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
1086-16070-DG
1086-16070-MIL
150-JAN2N1016B
1086-16070
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MPSA27
TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO92
JAN2N1016D
TRANS NPN 200V 7.5A TO82
JANTXV2N2218AL
TRANS NPN 50V 0.8A TO5
