JAN2N5014
Производитель Номер продукта:

JAN2N5014

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

JAN2N5014-DG

Описание:

TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA

Инвентаризация:

13261241
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

JAN2N5014 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
Military, MIL-PRF-19500/727
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
200 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
900 V
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Комплект устройства поставщика
TO-5AA

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
JAN2N5014-ND
150-JAN2N5014

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

JANSR2N5154U3

TRANS NPN 80V 0.001A U3

microchip-technology

JANSM2N3635UB/TR

TRANS PNP 140V 1A UB

microchip-technology

JANSM2N3635L

TRANS PNP 140V 1A TO5

microchip-technology

JAN2N5415UA

TRANS PNP 200V 1A UA