JAN2N6800
Производитель Номер продукта:

JAN2N6800

Product Overview

Производитель:

Microsemi Corporation

Номер детали:

JAN2N6800-DG

Описание:

MOSFET N-CH 400V 3A TO39
Подробное описание:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Инвентаризация:

12928976
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

JAN2N6800 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
Military, MIL-PRF-19500/557
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
400 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-39
Упаковка / Чехол
TO-205AF Metal Can

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTB90N02T4G

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

infineon-technologies

IPD50P04P413ATMA2

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

microsemi

JANTXV2N6800U

MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC

infineon-technologies

IPD90P04P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3