Производитель Номер продукта:
JAN2N7334
Product Overview
Производитель:
Microsemi Corporation
Номер детали:
JAN2N7334-DG
Описание:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Инвентаризация:
12929658
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
JAN2N7334 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Microsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
4 N-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A
Rds On (макс.) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Military
Квалификация
MIL-PRF-19500/597
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Комплект устройства поставщика
MO-036AB
Базовый номер продукта
2N733
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SP8M3FU7TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
