Производитель Номер продукта:
AN1L3N
Product Overview
Производитель:
NEC Corporation
Номер детали:
AN1L3N-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A TO92
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Through Hole TO-92
Инвентаризация:
56894 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12931581
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AN1L3N Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
200mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Мощность - Макс
250 mW
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
TO-92
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,159
Другие названия
RENNECAN1L3N
2156-AN1L3N
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
