Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
2N7002NXAKR
Product Overview
Производитель:
Nexperia USA Inc.
Номер детали:
2N7002NXAKR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 190mA (Ta), 300mA (Tc) 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Инвентаризация:
87630 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12826318
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7002NXAKR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190mA (Ta), 300mA (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.43 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-236AB
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
2N7002
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
2N7002NXAKR
HTML Спецификация
2N7002NXAKR-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
1727-8643-2
934661281215
1727-8643-1
1727-8643-6
5202-2N7002NXAKRTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCPF05N80-BP
MOSFET N-CH 800V 5A TO220F
PHK5NQ15T,518
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
AUIRF7416QTR
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
PMN230ENEX
MOSFET N-CH 60V 1.6A 6TSOP