BC856BQB-QZ
Производитель Номер продукта:

BC856BQB-QZ

Product Overview

Производитель:

Nexperia USA Inc.

Номер детали:

BC856BQB-QZ-DG

Описание:

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 340 mW Surface Mount, Wettable Flank DFN1110D-3

Инвентаризация:

84950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12986944
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BC856BQB-QZ Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
65 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
650mV @ 5mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Мощность - Макс
340 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
3-XDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
DFN1110D-3
Базовый номер продукта
BC856

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
934664000147
5202-BC856BQB-QZTR
1727-BC856BQB-QZCT
1727-BC856BQB-QZTR
1727-BC856BQB-QZDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nexperia

BC817-16QB-QZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

microchip-technology

2N5329

POWER BJT

microchip-technology

2C5686

POWER BJT

microchip-technology

2N6354

POWER BJT